产品概述
作为国内领先的晶体生长炉厂家，我们专注于研发和生产适用于科研与工业领域的晶体生长设备。产品涵盖提拉法（CZ法）、顶部籽晶法（TSSG法）、下降法等多种工艺，支持氧化物、氟化物、半导体材料（如蓝宝石、硅、锗等）及特种激光晶体的高质量生长。设备温度范围覆盖1200℃至2100℃，适配不同熔点材料的精密控制需求。
核心技术优势
1. 精准控温系统
- 控温精度±0.1℃：采用欧陆仪表与PLC编程控制，支持24段升降温程序，满足复杂工艺曲线需求。
- 多模式测温：结合B型热电偶（0-1800℃）与红外测温仪（900-2300℃），确保高温环境下的稳定监测。
2. 全自动化提拉与旋转机构
- 提拉速度范围广：0.01-50mm/h（常规型）至0.1μm/s-2000μm/s（超精密型），适配特种晶体极低拉速需求。
- 旋转速度可调：0.1-60rpm，支持多段速自动切换，优化晶体生长均匀性。
3. 多样化加热与真空设计
- 加热方式灵活：电阻丝（1200℃以下）或高频感应加热（2100℃高温型），满足不同材料熔融需求。
- 真空/气氛兼容：真空度可达6×10⁻⁶Pa（分子泵方案），支持惰性气体保护，防止材料氧化。
4. 安全与智能化设计
- 多重保护机制：过温、过流、欠压保护及泄压阀，保障设备安全运行。
- 数据追溯功能：实时记录温度、真空度、提拉速度等参数，支持数据导出与工艺优化。
应用领域
| 行业 | 典型材料 | 适用设备型号 |
|---|---|---|
| 科研院所 | YAG、LaAlO₃、蓝宝石 | VBF-1200X-TSSG、SKJ-50CZ |
| LED制造 | 氟化物晶体、宝石基板 | KZDJ-80-15（下降法） |
| 半导体 | 单晶硅、锗 | NVT-HG型全自动单晶炉 |
| 军工/医疗 | LYSO、红外光学晶体 | 全自动激光晶体生长炉 |
选型指南
- 按温度需求
- 1200℃以下：经济型箱式炉（VBF-1200X-TSSG），适配氧化物晶体实验。
- 1600-2100℃：感应加热炉（SKJ-50CZ），适合高熔点金属与半导体单晶生产。
- 按生产规模
- 实验室级：紧凑型设计（φ240mm腔体），功耗4KW，占地面积≤2㎡。
- 工业级：大腔体（φ1000mm）、全自动化控制，支持连续批量生产。
- 按工艺复杂度
- 基础型：手动操作+24段编程控温，性价比高。
- 高端型：LabVIEW软件集成称重反馈与闭环控制，适配军工级精密工艺。
服务与认证
- 质保承诺：设备整机1年质保，终身维护（耗材除外）。
- 国际认证：通过CE认证，支持TUV/CAS认证定制。
- 定制服务：提供腔体尺寸、真空系统（分子泵/扩散泵）、搅拌装置等个性化配置。